【嘉德点评】比亚迪公司深耕汽车电子领域中，并不断实现技术创新，在此项专利中提出了SiC MOSFET制备方法，增加了该电子设备的反应速度以及使用寿命，同时应用于旗下电动车，提升车辆使用性能。

集微网消息，前不久比亚迪公司宣布投入巨资布局第三代半导体材料SiC（碳化硅），并整合材料、单晶、外延、芯片、封装等SiC基半导体产业链，致力于降低SiC器件的制造成本，加快其在电动车领域的应用。目前比亚迪公司已成功研发了SiC MOSFET，并期望之后应用于旗下的电动车中，实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代，将整车性能在现有基础上提升10%。

在电子领域，MOSFET（场效应晶体管）作为功率开关广泛应用于开关电源、放大器等电子设备中，同时也是硬件设备发热和功率损耗的一大来源。随着新式材料SiC的出现，由于其击穿场强约为Si的10倍，同时具有高热导率、抗辐射等优点，因此可广泛应用于大功率，高温高频半导体器件如MOSFET中。当MOSFET应用SiC材料后，其开关损耗可大幅降低，适用于更高的工作频率，并大大增强高温稳定性，另一方面由于器件本身沟道密度低的特性，可以有效减小器件面积，增加芯片的集成度。然而基于沟槽型SiC的MOSFET普遍存在反型层迁移率低以及栅极氧化层使用寿命短的问题，一定程度限制了SiC的大规模使用。

针对这一缺陷，比亚迪公司早在2017年8月25日就提出一项名为“MOSFET及制备方法、电子设备、车辆”的发明专利（申请号：201710743941.8），申请人为比亚迪股份有限公司。

此专利提出一种基于SiC形成的MOSFET及其制备方法，并应用于电子设备和车辆中，可增加了该电子设备的反应速度以及使用寿命，并提升车辆的使用性能。