第三代半导体基金有诺安成长混合，代码为320007;银河创新成长混合，代码为519674;诺安和鑫灵活配置混合，代码为002560;长城久嘉创新成长混合，代码为004666;金鹰策略配置混合，代码为210008。相对于传统的硅材料，第三代半导体更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件。

    第三代半导体简介

 

    1、第三代半导体材料包括了以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的宽禁带化合物半导体。第一二代半导体材料工艺已经逐渐接近物理极限，在微电子领域的摩尔定律开始逐步失效，而第三代半导体是可以超越摩尔定律的。

 

    2、相比于第一代及第二代半导体材料，第三代半导体材料在高温、高耐压以及承受大电流等多个方面具备明显的优势，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。

 

    3、在器件的性能对比上，GaN材料以及SiC材料在通态电阻以及击穿电压方面都具备较大的优势。

 

    4、第三代半导体材料应用可以分为微电子以及光电子领域，具体可以细分为电力电子器件、微波射频、可见光通信、太阳能、半导体照明、紫外光存储、激光显示以及紫外探测器等领域，有望突破传统半导体技术的瓶颈，与第一代、第二代半导体技术互补，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点将发挥重要作用。